RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.4
    テスト平均値
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 69
    周辺 -97% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 1,441.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    3,325.1 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,441.2 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    525 left arrow 2713

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
メモリRAM