RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 11.8
    テスト平均値
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB 考慮すべき理由
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    47 left arrow 64
    周辺 -36% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 1,869.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    64 left arrow 47
  • 読み出し速度、GB/s
    4,477.7 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,869.1 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    697 left arrow 2323

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較