RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Kingston 9905744-005.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905744-005.A00G 16GB

Kingston 9905744-005.A00G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Kingston 9905744-005.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 50
    周辺 -61% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 10.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    15.3 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.9 left arrow 14.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2512 left arrow 2949

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAMの比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905744-005.A00G 16GB RAMの比較

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
メモリRAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
メモリRAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
メモリRAM