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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
総合得点
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
総合得点
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
50
60
周辺 17% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
10.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
50
60
読み出し速度、GB/s
15.3
15.3
書き込み速度、GB/秒
10.9
11.0
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2512
2359
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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