Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

相違点

  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2% 高帯域
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 60
    周辺 -122% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 11.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    15.3 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.0 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2359 left arrow 3061
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較