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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB vs Kingston KHYXPX-MID 8GB

総合得点
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

総合得点
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Kingston KHYXPX-MID 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 8.9
    テスト平均値
Kingston KHYXPX-MID 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHYXPX-MID 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 37
    周辺 -6% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    14.3 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.9 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2422 left arrow 2127

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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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