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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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考慮すべき理由
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
37
周辺 -12% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
9.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
33
読み出し速度、GB/s
13.9
16.1
書き込み速度、GB/秒
9.9
13.0
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2389
2987
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAMの比較
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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