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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

総合得点
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

総合得点
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 50
    周辺 30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 10
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 7.8
    テスト平均値
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB 考慮すべき理由
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    15.7 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2767 left arrow 2159

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
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Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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