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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
総合得点
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
総合得点
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
37
周辺 11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
14.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
9.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
37
読み出し速度、GB/s
16.1
14.3
書き込み速度、GB/秒
13.0
9.9
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2987
2422
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAMの比較
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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