RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 38
    周辺 13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.0 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2987 left arrow 2363

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB RAMの比較

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較