RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 46
    周辺 -18% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.4 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2660 left arrow 2359

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
メモリRAM
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
メモリRAM