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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
総合得点
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
60
周辺 -54% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
14.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
39
読み出し速度、GB/s
14.9
15.7
書き込み速度、GB/秒
12.0
12.0
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2511
2958
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RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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