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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

総合得点
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

総合得点
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 60
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2511 left arrow 2511

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAMの比較

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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAMの比較

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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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