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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
比較する
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
総合得点
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
総合得点
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
60
周辺 -161% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.7
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
23
読み出し速度、GB/s
14.9
17.0
書き込み速度、GB/秒
12.0
14.7
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2511
3156
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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