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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
総合得点
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
24
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
10.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
22
読み出し速度、GB/s
14.9
17.8
書き込み速度、GB/秒
10.6
13.0
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2196
3115
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
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