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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比較する
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
総合得点
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
34
周辺 29% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
10.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
34
読み出し速度、GB/s
14.9
15.8
書き込み速度、GB/秒
10.6
12.4
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2196
2830
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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