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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
総合得点
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
総合得点
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
43
周辺 44% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
10.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
43
読み出し速度、GB/s
14.9
16.1
書き込み速度、GB/秒
10.6
10.7
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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