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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

総合得点
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 11.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB 考慮すべき理由
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 38
    周辺 -12% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 3041

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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