RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 38
    周辺 -36% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 18.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 3606

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
メモリRAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
メモリRAM