RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 38
    周辺 -65% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.4 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 17.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 4181

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
メモリRAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
メモリRAM