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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
122
周辺 69% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
9.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
5.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
122
読み出し速度、GB/s
15.5
9.4
書き込み速度、GB/秒
12.0
5.8
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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