RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905630-039.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905630-039.A00G 16GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 48
    周辺 21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Kingston 9905630-039.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 11.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 2261

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
メモリRAM