Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9965589-017.D00G 8GB

総合得点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

15.5 12.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.0 9.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 19200

周辺 1.33% 高帯域

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

考慮すべき理由
Kingston 9965589-017.D00G 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 38

周辺 -36% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

38 28
読み出し速度、GB/s

15.5 12.3
書き込み速度、GB/秒

12.0 9.2
メモリ帯域幅、mbps

25600 19200

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2283 2617

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB

A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

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