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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
比較する
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9965596-023.B01G 8GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
8.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
38
読み出し速度、GB/s
15.5
8.2
書き込み速度、GB/秒
12.0
7.3
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
1824
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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