RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 38
    周辺 -15% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 3075

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
メモリRAM