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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

総合得点
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 10.4
    テスト平均値
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 15.5
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 3030

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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
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メモリRAM
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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メモリRAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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