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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
39
周辺 3% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
11.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
39
読み出し速度、GB/s
15.5
15.5
書き込み速度、GB/秒
12.0
11.5
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
2264
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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