RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 59
    周辺 36% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 59
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 9.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 2128

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM