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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
11.9
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
38
周辺 -6% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
36
読み出し速度、GB/s
15.5
15.5
書き込み速度、GB/秒
12.0
11.9
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
2734
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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