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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

総合得点
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

総合得点
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 11.7
    テスト平均値
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 43
    周辺 -5% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    12.1 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2034 left arrow 2058

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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
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