RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
バグを報告する
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 45
    周辺 -105% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.4 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 18.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2077 left arrow 3265

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
メモリRAM
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
メモリRAM