RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
比較する
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
総合得点
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
45
周辺 -67% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
11.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.5
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
27
読み出し速度、GB/s
11.9
17.9
書き込み速度、GB/秒
8.1
13.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2077
3396
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAMの比較
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link