Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB

総合得点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点

Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

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Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 47

周辺 -68% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

21.7 11.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

17.4 8.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

47 28
読み出し速度、GB/s

11.8 21.7
書き込み速度、GB/秒

8.0 17.4
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2061 3793

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

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Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

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Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB

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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

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Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

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