RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
バグを報告する
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB 考慮すべき理由
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 47
    周辺 -62% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2061 left arrow 3208

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較