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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

総合得点
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点
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Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 47
    周辺 -68% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2061 left arrow 2903

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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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メモリRAM
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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