RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
バグを報告する
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 47
    周辺 -47% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2061 left arrow 2952

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
メモリRAM