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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
総合得点
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
総合得点
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
47
周辺 -96% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
11.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.1
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
24
読み出し速度、GB/s
11.8
15.7
書き込み速度、GB/秒
8.0
11.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2061
2631
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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