RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 6.8
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 47
    周辺 -88% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2061 left arrow 2073

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
メモリRAM