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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

総合得点
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 45
    周辺 -61% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 3601

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