RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 45
    周辺 -137% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 3542

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAMの比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
メモリRAM