Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

総合得点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 45

周辺 -73% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

19 12

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

17.1 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

45 26
読み出し速度、GB/s

12.0 19.0
書き込み速度、GB/秒

7.8 17.1
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1939 4022

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB

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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB

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