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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

総合得点
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 45
    周辺 -73% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 14.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 2163

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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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メモリRAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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