RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 45
    周辺 -41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 15.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 3592

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM