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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB

総合得点
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
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Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 45
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 2876

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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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