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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KHX2400C15/16G 16GB

総合得点
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
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Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston KHX2400C15/16G 16GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 45
    周辺 -45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.4 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 11.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 3094

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Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
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メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
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