RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 45
    周辺 -36% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 2876

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB RAMの比較

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
メモリRAM