RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 45
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 10.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 2589

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
メモリRAM