RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB 考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 45
    周辺 -105% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 18.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 3172

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
メモリRAM