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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
比較する
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
総合得点
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
総合得点
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12.3
11.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
45
周辺 -41% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.2
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
32
読み出し速度、GB/s
12.3
11.1
書き込み速度、GB/秒
8.0
9.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1992
2386
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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