RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 48
    周辺 -66% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    8.9 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1420 left arrow 2810

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology C 8GB
メモリRAM
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
メモリRAM